サムスン、HBM4/HBM4E DRAMの生産能力を倍増へ
Samsung is expected to more than double output of its HBM4 and HBM4E DRAM
サムスン電子は、次世代高帯域幅メモリ(HBM)チップであるHBM4およびHBM4Eの生産能力を来年、現在の2倍以上に引き上げる計画です。これに伴い、HBM製造に不可欠なガラスキャリアの需要も今年比で2.5倍に増加すると見込まれています。ガラスキャリアの月間洗浄量は、今年の2万枚から来年は5万枚に増加する予定です。HBM4/HBM4Eは12層以上の積層を特徴とし、サムスンは今年2月に10nmクラス(1c)DRAMと4nmプロセスベースダイを用いたHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNvidiaを含む顧客に12層HBM4Eのサンプルを提供しました。業界アナリストは、ガラスキャリアの増加から、HBM4/HBM4Eの生産量が少なくとも倍増すると予測しています。来年のHBM生産規模は、月間平均ウェーハ投入枚数で約18万枚から約25万枚へと約40%増加すると予想されており、製品出荷ミックスでは、HBM4ファミリーが今年の約40%から来年はHBM4Eの量産拡大に伴い約80%に達すると予測されています。
- サムスン電子はHBM4/HBM4Eの生産能力を来年に現在の2倍以上へ引き上げる計画
- ガラスキャリアの月間洗浄量が今年の2万枚から来年5万枚へ2.5倍に増加する予定
- サムスンは今年2月に10nmクラス(1c)DRAMと4nmプロセスベースダイを用いたHBM4の量産出荷を開始
- 5月にNvidiaを含む顧客へ12層HBM4Eのサンプルを提供
- 来年のHBM生産規模は月間平均ウェーハ投入枚数で約18万枚から約25万枚へ約40%増加する予想
- 出荷ミックスでHBM4ファミリーが今年の約40%から来年は約80%に達すると予測
サムスンがHBM4/HBM4Eの生産能力を来年に2倍超へ引き上げる計画で、HBM4ファミリーの出荷ミックスが今年の約40%から来年80%へ急上昇する見通しです。HBMはAIサーバー向けのボトルネック部材であり、生産量が月18万枚→25万枚(約40%増)へ拡大すれば、ガラスキャリアなど周辺材料・装置の需要も2.5倍に膨らみます。Nvidiaへの12層HBM4Eサンプル提供は顧客承認の進展を示す重要シグナルで、HBMサプライチェーン全体(材料・洗浄・後工程)への波及と、SKハイニックスなど競合とのシェア競争を注視すべきです。