マイクロンとSKハイニックス、RAM増産に数十億ドル投資も、2028年まで供給増は限定的
Micron, SK Commit Billions to RAM Capacity, but Almost Nothing Lands Before 2028
米国の半導体インフラ投資において、マイクロンはテキサス州でのシリコンウェーハ契約に30億ドルを投じ、SKハイニックスはインディアナ州でHBMパッケージング工場を建設する。マイクロンはGlobalWafersとの10年契約で300mm生シリコンウェーハの供給を確保し、そのうち5億ドルはGlobalWafers Americaの工場開発に充てられる。SKハイニックスのインディアナ工場は、約40億ドルを投じて2028年後半に量産開始予定で、米国初のHBM製造拠点となる。一方、SKハイニックスは韓国でも2027年着工、2028年以降稼働のDRAMおよびNANDファブに約380億ドルを投資する。これらの大規模投資は主に2028年以降に供給増をもたらす見込みで、AIアクセラレータ向けHBMの需要増に対応するものである。NVIDIAはSKグループと次世代メモリの共同開発を含む5000億ドルの契約を結んでいる。
- マイクロンはGlobalWafersと10年契約で300mm生シリコンウェーハ供給を確保し、30億ドルを投資(うち5億ドルはGlobalWafers Americaの工場開発に充当)
- SKハイニックスはインディアナ州に約40億ドルを投じ、2028年後半に量産開始予定の米国初のHBMパッケージング工場を建設
- SKハイニックスは韓国で2027年着工、2028年以降稼働のDRAMおよびNANDファブに約380億ドルを投資
- NVIDIAはSKグループと次世代メモリの共同開発を含む5000億ドルの契約を締結
半導体メモリ市場の超大規模キャパシティ投資が具体化している。マイクロンによるテキサス州での30億ドルのウェーハ調達契約、SKハイニックスのインディアナ州HBMパッケージング工場(約40億ドル)と韓国での約380億ドルのDRAM/NANDファブ投資は、AIアクセラレータ向けHBM需要の急増に応える戦略的な動き。特にSKハイニックスのインディアナ工場は米国初のHBM製造拠点となり、2028年後半の量産開始という時間軸から、短期的なHBM供給逼迫は継続する見込み。NVIDIAとの5000億ドル規模の提携契約もメモリサプライチェーンの垂直統合が進む象徴的な事例で、半導体メモリ関連企業の設備投資動向と需給バランスを注視すべき局面にある。