Hot Chips 2026: サムスンとHBMベースダイの機会

HBM(High Bandwidth Memory)は、複数のDRAMダイをベースダイの上に積層する技術です。HBM4およびHBM4Eでは、サムスンはDRAMノードではなく4nmロジックプロセスを採用し、ベースダイの消費電力と面積を削減しました。これにより、余剰となったベースダイの面積を活用する3つのフェーズでの機会を探求しています。 フェーズ1では、メモリコントローラーをHBMベースダイに統合し、カスタムダイ・ツー・ダイインターフェースを使用することで、コンピュートダイとHBMベースダイ双方のPHY面積を削減することを目指しています。また、SRAMを統合して、故障したDRAMセルをリマップする機能も検討されています。 フェーズ2では、メモリコントローラー統合後も残る余剰面積に、温度や電圧のテレメトリを提供するセンサー、テストブロック、SRAMベースのリマッピングテーブル、外部メモリインターフェース、インメモリコンピューティングブロックなどを統合する可能性を探っています。 フェーズ3では、HBMダイをコンピュートチップ上に積層するzHBM(stacked HBM)ソリューションを提案していますが、熱の問題が大きな課題となる可能性があります。サムスンの提案は、HBMとコンピュートの連携を強化することに焦点を当てていますが、カスタムソリューションの標準化が今後の鍵となります。