Samsung、LPDDR5X-PIMでメモリ内コンピューティングを推進
Samsung's Processing-in-Memory (PIM)
Samsungは、LPDDR5Xメモリチップ内にMACユニットを実装するProcessing-in-Memory(PIM)技術を推進している。この技術は、メモリチップ内部の帯域幅を活用し、DRAMと従来のコンピューティングコア間の長いレイテンシを回避する。SamsungのLPDDR5X-PIMは、各バンクにPIMブロックを配置し、チップ外部バスに制約されずに内部帯域幅を利用することで、通常のDRAMアクセス(76.8 GB/s)と比較して614 GB/sの帯域幅を実現する。PIMブロックは、INT8またはFP8でデータクロックあたり4回のMAC演算、またはサイクルあたり8回のMAC演算が可能で、4ビット入力重みではスループットが倍増し、パッケージ全体で2.4 TOPSに達する。8個のLPDDR5Xチップを組み合わせると、Intel Meteor LakeのNPUに匹敵する9.6 INT8 TOPSの集約スループットが得られる。この技術は標準LPDDR5Xプロトコル内で動作するが、PIMモードと通常メモリアクセスを同時に行うことはできず、ソフトウェア側での対応が課題となる。キャッシュ、プリフェッチ、アウトオブオーダー実行などのCPU機能との連携も、メモリサブシステム全体での変更が必要となる可能性がある。
- SamsungのLPDDR5X-PIMは、各バンクにPIMブロックを配置し、通常DRAMアクセスの76.8 GB/sと比較して614 GB/sの内部帯域幅を実現した
- 8個のLPDDR5Xチップを組み合わせると9.6 INT8 TOPSの集約スループットが得られ、Intel Meteor LakeのNPUに匹敵する性能を示した
- PIMブロックはINT8またはFP8でデータクロックあたり4回、サイクルあたり8回のMAC演算が可能で、パッケージ全体で2.4 TOPSに達する
SamsungがLPDDR5X-PIMによりメモリ内コンピューティングの性能を具体的な数値(614 GB/s帯域幅、2.4 TOPS/パッケージ、8チップ構成で9.6 INT8 TOPS)で示しており、エッジAI向けメモリ半導体市場における技術的差別化を進めている点に注目。既存NPU性能に匹敵する演算能力をメモリ内に統合できることは、AIワークロードの電力・レイテンシ改善につながり、半導体メモリ企業のバリューチェーン上の位置づけを変える可能性がある。ただしソフトウェア対応やCPUとの連携に課題があり、実用化までの時間軸を注視すべき。