SEMICON半導体
光学MOSソリッドステートリレーにおける中性子放射線効果の研究
Study of Neutron Radiation Effects in Optical MOS Solid-State Relays
MSSensors · MDPI · CC BY 4.0
AIが原文を翻訳・要約しています
光学MOSソリッドステートリレーは、放射線モニタリングシステム、高エネルギー物理学加速器モニタリングシステム、航空宇宙電子機器における絶縁スイッチングインターフェースとして適している。しかし、大気中の中性子照射下での信頼性は体系的に調査されていなかった。本研究では、市販の光学MOSソリッドステートリレーの中性子誘起劣化特性と潜在的な物理メカニズムを、電気的特性評価、Sentaurus TCAD混合モードシミュレーション、および照射後アニーリング実験を通じて体系的に調査した。特に、内部光電変換ユニットの劣化と出力側パワーMOSFETのオフ状態リーク電流の増加との間の内部結合関係に注目した。
KEY POINTS要点記事から抽出した重要情報
- 市販の光学MOSソリッドステートリレーについて、中性子誘起劣化特性と物理メカニズムを電気的特性評価、TCADシミュレーション、アニーリング実験により体系的に調査した
- 内部光電変換ユニットの劣化と出力側パワーMOSFETのオフ状態リーク電流増加の内部結合関係を特定した
CONTEXT文脈編集部による背景整理
光学MOSソリッドステートリレーの耐放射線性能評価は、放射線モニタリングや宇宙・高エネルギー物理用途での採用判断に直結する信頼性データであり、半導体デバイスの高信頼性分野における差別化要因となる。中性子照射による劣化メカニズムを特定しシステム設計側に情報を提供できる点は、今後の受注拡大余地を示す。
原文を読むAnalyzed at 2026年8月20日 03:00