MATERIALS素材・マテリアルインフォマティクス
3インチ均一{100}配向単結晶ダイヤモンドウェーハの合成
Synthesis of Homogeneously {100}-Textured 3-Inch Free-Standing Diamond Wafer
MMMaterials · MDPI · CC BY 4.0
AIが原文を翻訳・要約しています
マイクロ波プラズマCVD法を用いた2段階成長プロセスにより、3インチ均一{100}配向単結晶ダイヤモンドウェーハの作製に成功した。成長パラメータα({100}面と{111}面の成長速度比)を初期段階で窒素添加により約3に保ち(100)面を選択的に成長させ、その後窒素添加を停止してα値を低下させることで、約175cm2の面積に厚さ0.8mm以上の均一な{100}配向ダイヤモンドを196時間で成長させた。成長速度は4.0-5.5 μm/hで、従来の配向ダイヤモンド成長の4倍に相当する。このウェーハの熱伝導率は850 W/(mK)から1125 W/(mK)に向上した。
KEY POINTS要点記事から抽出した重要情報
- 3インチ均一{100}配向単結晶ダイヤモンドウェーハの合成に成功
CONTEXT文脈編集部による背景整理
ダイヤモンドは究極の半導体材料とされ、高周波・高耐圧・高熱伝導が要求されるパワー半導体や放熱基板への応用が期待されている。本成果は、3インチサイズで均一な{100}配向単結晶ウェーハを実用的な速度で成長させた点が重要であり、従来比4倍の成長速度と熱伝導率850-1125 W/(mK)の達成は、量産化および実用化に向けた大きな前進といえる。ダイヤモンド半導体のバリューチェーンが現実味を帯びてきたことを示しており、関連スタートアップやサプライチェーン企業の動向を注視すべきフェーズに入った。
原文を読むAnalyzed at 2026年6月5日 09:00