SEMICON半導体
CMOSイメージセンサの性能向上:エピタキシャルウェハへの水素化ケイ素および炭化水素分子イオン注入の探索
Boosting CMOS Image Sensors: Exploring Silicon Hydride and Hydrocarbon Molecular Ion Implanted in Epitaxial Wafers
MSSensors · MDPI · CC BY 4.0
AIが原文を翻訳・要約しています
低酸素濃度のエピタキシャル層へSiHxおよびC2Hyの混合分子イオン注入を実施したCMOSイメージセンサにおいて、未注入のエピタキシャルウェハと比較して白点欠陥数が32%、暗電流が13%削減された。この改善は、金属不純物のゲッタリング能力向上、活性層への酸素拡散抑制、水素拡散によるSiO2/Si界面欠陥のパッシベーションの3つのメカニズムによる。また、エピタキシャル層に形成された欠陥はCZシリコン基板と比べて低酸素濃度でNiに対して高いゲッタリング能力を示し、EOR欠陥からの水素拡散量増加も確認された。
KEY POINTS要点記事から抽出した重要情報
- 低酸素エピタキシャル層へのSiHxおよびC2Hy混合分子イオン注入により、CMOSイメージセンサの白点欠陥数が32%、暗電流が13%削減された。
CONTEXT文脈編集部による背景整理
CMOSイメージセンサにおける暗電流や白点欠陥は画質と歩留まりを左右する重大な課題であり、SiHxおよびC2Hy混合分子イオン注入による白点欠陥32%減・暗電流13%減の実証は、先端センサの製造プロセス改善やウェハ差別化に寄与する有益な知見です。
原文を読むAnalyzed at 2026年10月22日 21:03