柔軟なニューロモルフィック・メモリスタ:メカニズムから応用まで
フォン・ノイマンアーキテクチャのメモリとプロセッサの物理的分離は、データ集約型アプリケーションの開発を制限してきた。脳の並列・イベント駆動型動作メカニズムに着想を得たニューロモルフィックコンピューティング技術は、低消費電力のインメモリコンピューティングを可能にした。コンダクタンスを調整可能なメモリスタは生物学的シナプスを模倣でき、柔軟なメモリスタは機械的柔軟性も提供し、ウェアラブルエレクトロニクスやインテリジェントセンシングシステムに適している。本レビューは、導電性フィラメント、界面効果、強誘電性、相変化、複数の相乗効果メカニズムを含む、柔軟なニューロモルフィックメモリスタのスイッチングメカ…
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内在的にランダムなSnTeメモリスタを用いた光センシングPUFによる画像暗号化と認識
- SnTeメモリスタを用いた光センシングPUFが開発され、画像暗号化とニューロモルフィック認識を単一プラットフォームで実現した
- 構築されたメモリスタニューラルネットワークは300エポック後、95.1%の認識精度を達成した
- デバイスは4000秒超の保持特性と安定した抵抗スイッチングを示し、シナプス模倣挙動を実現した
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Te/Fe3GaTe2 1D-2D 強誘電ヘテロ接合トランジスタによるワーク表面欠陥検査のための超高速マルチステートスイッチング
- Te/Fe3GaTe2 1D-2D強誘電ヘテロ接合トランジスタが、20ナノ秒の超高速スイッチングと7ビットを超える調整可能な抵抗状態を実現
- 同トランジスタを応用し、畳み込みニューラルネットワークでワーク表面の6種類の微小欠陥を97.1%の精度で認識
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MRAM:次世代コンピューティング向けの汎用不揮発性メモリ
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)は、高速動作、優れた耐久性、低消費電力、CMOSプロセス互換性を兼ね備えた有望な不揮発性メモリ技術である。本稿では、トグルMRAMからSTT-MRAM、SOT-MRAMへと進化してきたMRAMの技術的変遷を包括的に概観する。各世代の動作メカニズム、性能トレードオフ、統合可能性を体系的に要約し、組み込みSoC、エッジコンピューティング、航空宇宙・車載エレクトロニクス、AIアクセラレータ、ニューロモルフィックコンピューティング、ハードウェアセキュリティなど、多様な応用分野を詳述する。また、書き込みエネルギーと速度のトレードオフ、プロセスの複雑さ、記憶密度…
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超高速レーザー誘起核生成と磁気スキルミオンの制御
- Pt/Coベースの多層膜において、ピコ秒レーザーパルスを用いたスキルミオンの決定的生成を実証
- 単一のピコ秒レーザーパルスで直径25nmの安定なNéel型スキルミオンを生成することに成功
- 光子-スピンエレクトロニクス統合による光データ書き込みと磁気ストレージへの道を開く
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